揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊是一款高性能的功率半導(dǎo)體器件。該模塊采用現(xiàn)代化的封裝技術(shù)和高可靠性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有優(yōu)異的電氣性能和熱性能。該模塊適用于各種高壓、高電流的電力電子設(shè)備中，如交流變頻器、直流電源、無(wú)刷電機(jī)控制器等。

　　一、揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊規(guī)格參數(shù)

　　產(chǎn)品類(lèi)型：IGBT模塊

　　產(chǎn)品型號(hào)：DGW50N65CTL

　　產(chǎn)品描述：650V 50A

　　產(chǎn)品封裝：TO-247

　　產(chǎn)品品牌：揚(yáng)杰

　　產(chǎn)品應(yīng)用：光伏 儲(chǔ)能專(zhuān)用

　　反向重復(fù)峰值電壓VRRM：650V

　　正向平均電流IF：50A

　　飽和壓降 VCE：1.6V

　　工作溫度范圍：-40℃~+175℃

       二、揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊規(guī)格書(shū)

　　三、揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊的主要特性

　　揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊采用最新的第五代IGBT芯片，具有低導(dǎo)通電阻、低開(kāi)關(guān)損耗和高溫性能優(yōu)異等特點(diǎn)。該模塊還具有良好的阻尼特性和抗射頻干擾能力，可有效地提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。此外，該模塊還配備了高速反向恢復(fù)二極管，可降低開(kāi)關(guān)損耗和電磁干擾。

    　四、揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊的應(yīng)用

　　揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊適用于各種高壓、高電流的電力電子設(shè)備中，如交流變頻器、直流電源、無(wú)刷電機(jī)控制器等。該模塊還可用于工業(yè)自動(dòng)化、太陽(yáng)能逆變器、UPS電源等領(lǐng)域。該模塊具有優(yōu)異的電氣性能和熱性能，可提高系統(tǒng)的效率、可靠性和穩(wěn)定性，滿足各種嚴(yán)苛的應(yīng)用要求。

　　揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊是一款高性能、高可靠性的功率半導(dǎo)體器件。該模塊具有優(yōu)異的電氣性能和熱性能，適用于各種高壓、高電流的電力電子設(shè)備中，可提高系統(tǒng)的效率、可靠性和穩(wěn)定性，滿足各種嚴(yán)苛的應(yīng)用要求。如果您正在尋找一款高品質(zhì)的功率半導(dǎo)體器件，揚(yáng)杰DGW50N65CTL IGBT模塊將是您的不二之選。